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偽靜態存儲器（Parrallel pSRAM）的設計是用于直接替代靜態隨機存儲器（SRAM），即使內部存儲器的操作并非靜態。商業化的兩種偽靜態存儲器分別是偽靜態隨機存儲器（PSRAM）及鐵電隨機存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應用；當純粹計算每個位的成本時具有競爭優勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應用，在系統成本及產品供應方面具有競爭力。F-RAM還有一個目標用途是用于非易失性數據獲得，在這種應用中可以提供卓越的性能。
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20 |
SPI,QPI |
-25℃ to 85℃ |
8-SOIC |
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暫無 |
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