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主頁 ? 產(chǎn)品中心 ? 分立器件 ? SIC MOSFET ?
碳化硅為機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定度、化學(xué)穩(wěn)定度皆非常優(yōu)異的化合物半導(dǎo)體,其莫氏硬度為9,熔點(diǎn)2830°C, 只能以600°C 純KOH溶液蝕刻。碳化硅極高的3.26eV能隙對比起硅的1.12eV ,使碳化硅擁有耐壓、高效、穩(wěn)定、散熱等優(yōu)勢。
Fast SiC semiconductor lnc.即思創(chuàng)意股份有限公司專注于sic功率組件之無晶圓廠設(shè)計(jì)公司,主要提供有650V~1700V之SiC MOSFET與SiC二極管,目前唯一將SIC MOSFET設(shè)計(jì)可符合常規(guī)之12v硅基閘極驅(qū)動(dòng)器使用?,F(xiàn)時(shí)碳化硅主要應(yīng)用領(lǐng)域?qū)诟吖β孰娫词袌鲆约皹O端環(huán)境下的各式應(yīng)用中。
Product No. Drain-source?Voltage[V] Drain-source?On-state?Resistance(Typ.)?[mΩ] Package PDF下載
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FF06320B 650 320 PQFN5x6(MSL 1) 暫無
FL06320B 650 320 PQFN5x6(MSL 1) 暫無
FL06320G 650 320 DFN8x8 暫無
FF061K4 650 1400 DPAK(MSL 1) 暫無
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FF17900Q 1700 900 TO-247-4L 暫無
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